1MBI75L-060 - аналоги и описание IGBT

 

1MBI75L-060 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 1MBI75L-060

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 1MBI75L-060

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI75L-060 даташит

 ..1. Size:768K  fuji
 1mbi75l-060.pdf pdf_icon

1MBI75L-060

 8.1. Size:261K  fuji
 1mbi75u4f-120l-50.pdf pdf_icon

1MBI75L-060

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI75U4F-120L-50 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 75A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter DB for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier (DB) Active PFC Industrial machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , RJH60F7BDPQ-A0 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 .

History: 1MBI800U4B-120

 

 

 


 
↑ Back to Top
.