Справочник IGBT. 2MBI50J-060

 

2MBI50J-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2MBI50J-060
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 2MBI50J-060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI50J-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  fuji
 2mbi50j-060.pdf pdf_icon

2MBI50J-060

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.1. Size:51K  fuji
 2mbi50f-120.pdf pdf_icon

2MBI50J-060

 8.2. Size:87K  fuji
 2mbi50l-060.pdf pdf_icon

2MBI50J-060

 8.3. Size:49K  fuji
 2mbi50l-120.pdf pdf_icon

2MBI50J-060

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2MBI450U4N-120-50 , 2MBI450U4N-170-50 , 2MBI450VE-120-50 , 2MBI450VH-120-50 , 2MBI450VJ-120-50 , 2MBI450VN-120-50 , 2MBI450VN-170-50 , 2MBI50F-120 , TGD30N40P , 2MBI50L-060 , 2MBI50L-120 , 2MBI50N-060 , 2MBI50N-120 , 2MBI550VJ-170-50 , 2MBI550VN-170-50 , 2MBI600NT-060 , 2MBI600U2E-060 .

 

 
Back to Top

 


 
.