Справочник IGBT. IRG4BC30FD

 

IRG4BC30FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC30FD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.59 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 74 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 51 nC
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRG4BC30FD

 

 

IRG4BC30FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
 irg4bc30fd.pdf

IRG4BC30FD IRG4BC30FD

PD -91451BIRG4BC30FD Fast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Fast: Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).VCE(on) typ. = 1.59V Generation 4 IGBT design provides tighterG parameter distribution and hig

 0.1. Size:365K  international rectifier
 irg4bc30fd1.pdf

IRG4BC30FD IRG4BC30FD

PD - 94773IRG4BC30FD1Fast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCHYPERFAST DIODEVCES = 600VFeatures Fast: optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode).VCE(on) typ. = 1.59VG Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than@VGE = 15V, IC = 17A Generation 3.

 0.2. Size:1260K  international rectifier
 irg4bc30fd-s.pdf

IRG4BC30FD IRG4BC30FD

PD - 96929IRG4BC30FD-SFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCHYPERFAST DIODEVCES = 600VFeaturesVCE(on) typ. = 1.59V Fast: optimized for medium operating frequenciesG (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter@VGE = 15V, IC = 17AE parameter distribution and higher efficiency than Generation

 5.1. Size:172K  international rectifier
 irg4bc30f.pdf

IRG4BC30FD IRG4BC30FD

D I I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Fast: optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.59VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VG

Другие IGBT... IRG4BC20K-S , IRG4BC20S , IRG4BC20SD , IRG4BC20SD-S , IRG4BC20U , IRG4BC20UD , IRG4BC20W , IRG4BC30F , IRGP4062D , IRG4BC30K , IRG4BC30KD , IRG4BC30KD-S , IRG4BC30K-S , IRG4BC30S , IRG4BC30U , IRG4BC30UD , IRG4BC30W .

 

 
Back to Top