2MBI50N-120 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

2MBI50N-120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 2MBI50N-120
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2900 pF
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для 2MBI50N-120

2MBI50N-120 Datasheet (PDF)

..1. Size:51K fuji
2mbi50n-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

6.1. Size:50K fuji
2mbi50n-060.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

8.1. Size:174K fuji
2mbi50j-060.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

8.2. Size:51K fuji
2mbi50f-120.pdf