Справочник IGBT. 2MBI800U4G-170

 

2MBI800U4G-170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2MBI800U4G-170
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.47 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1250 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI800U4G-170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  fuji
 2mbi800u4g-170.pdf pdf_icon

2MBI800U4G-170

2MBI800U4G-170 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1700V / 800A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C unles

 2.1. Size:308K  fuji
 2mbi800u4g-120.pdf pdf_icon

2MBI800U4G-170

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/2MBI800U4G-120 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 800A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Characte

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: OST75N120HM2F | IXYH75N65C3 | MG17200D-BN4MM | APT30GT60BRD | FD400R33KF2C | IKQ100N60TA | IXGC16N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.