2MBI800U4G-170 - аналоги и описание IGBT

 

2MBI800U4G-170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2MBI800U4G-170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.47 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1250 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2MBI800U4G-170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI800U4G-170 даташит

 ..1. Size:443K  fuji
 2mbi800u4g-170.pdf pdf_icon

2MBI800U4G-170

2MBI800U4G-170 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1700V / 800A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25 C unles

 2.1. Size:308K  fuji
 2mbi800u4g-120.pdf pdf_icon

2MBI800U4G-170

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 2MBI800U4G-120 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 800A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Characte

Другие IGBT... 2MBI75L-120 , 2MBI75N-060 , 2MBI75N-120 , 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , XNF15N60T , 2MBI900VXA-120P-50 , 4MBI300VG-120R-50 , 4MBI400VG-060R-50 , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.