Справочник IGBT. IRG4BC30K-S

 

IRG4BC30K-S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC30K-S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.21 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC30K-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  international rectifier
 irg4bc30k-s.pdf pdf_icon

IRG4BC30K-S

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21V switching speed G Latest generation desig

 5.1. Size:140K  international rectifier
 irg4bc30k.pdf pdf_icon

IRG4BC30K-S

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed Latest generation design

 5.2. Size:342K  international rectifier
 irg4bc30kd.pdf pdf_icon

IRG4BC30K-S

PD -94910AIRG4BC30KDPbF Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeatures C High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed tighter parameter distribu

 5.3. Size:225K  international rectifier
 irg4bc30kds.pdf pdf_icon

IRG4BC30K-S

PD -91594CIRG4BC30KD-S Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15VVCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with highG switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20U , IRG4BC20UD , IRG4BC20W , IRG4BC30F , IRG4BC30FD , IRG4BC30K , IRG4BC30KD , IRG4BC30KD-S , IRG4PC40W , IRG4BC30S , IRG4BC30U , IRG4BC30UD , IRG4BC30W , IRG4BC30W-S , IRG4BC40F , IRG4BC40K , IRG4BC40S .

History: VS-GT100TP60N | APT20GF120KR | SPT60N65F1A1 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
Back to Top

 


 
.