6MBP100VDA120-50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: 6MBP100VDA120-50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 6MBP100VDA120-50
6MBP100VDA120-50 Datasheet (PDF)
6mbp100vda120-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big dec
6mbp100vda060-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr
Другие IGBT... 6MBI75U2A-060 , 6MBI75VA-060-50 , 6MBI75VA-120-50 , 6MBI75VW-060-50 , 6MBI75VW-120-50 , 6MBP100NA060-01 , 6MBP100RA060 , 6MBP100VDA060-50 , SGT50T65FD1PN , 6MBP10VAA120-50 , 6MBP150RA-060 , 6MBP150VDA060-50 , 6MBP150VEA120-50 , 6MBP15VAA120-50 , 6MBP200RA060 , 6MBP200VDA060-50 , 6MBP200VEA060-50 .
History: 6MBI75VA-060-50 | IXGX32N170AH1
History: 6MBI75VA-060-50 | IXGX32N170AH1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055