6MBP100VDA120-50 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

6MBP100VDA120-50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 6MBP100VDA120-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для 6MBP100VDA120-50

6MBP100VDA120-50 Datasheet (PDF)

0.1. Size:376K fuji
6mbp100vda120-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big dec

4.1. Size:361K fuji
6mbp100vda060-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr

7.1. Size:2629K fuji
6mbp100na060-01.pdf