6MBP100VDA120-50 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: 6MBP100VDA120-50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 6MBP100VDA120-50
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
6MBP100VDA120-50 даташит
6mbp100vda120-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 6MBP100VDA120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / IPM Features Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big dec
6mbp100vda060-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 6MBP100VDA060-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 600V / 100A / IPM Features Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr
Другие IGBT... 6MBI75U2A-060 , 6MBI75VA-060-50 , 6MBI75VA-120-50 , 6MBI75VW-060-50 , 6MBI75VW-120-50 , 6MBP100NA060-01 , 6MBP100RA060 , 6MBP100VDA060-50 , GT30F126 , 6MBP10VAA120-50 , 6MBP150RA-060 , 6MBP150VDA060-50 , 6MBP150VEA120-50 , 6MBP15VAA120-50 , 6MBP200RA060 , 6MBP200VDA060-50 , 6MBP200VEA060-50 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055




