Справочник IGBT. 7MBP50VDA060-50

 

7MBP50VDA060-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 7MBP50VDA060-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 201 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

7MBP50VDA060-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:432K  fuji
 7mbp50vda060-50.pdf pdf_icon

7MBP50VDA060-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP50VDA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 50A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decrea

 5.1. Size:450K  fuji
 7mbp50vda120-50.pdf pdf_icon

7MBP50VDA060-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP50VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 50A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decre

Другие IGBT... 7MBP150VDA060-50 , 7MBP150VEA120-50 , 7MBP200VDA060-50 , 7MBP200VEA060-50 , 7MBP200VEA120-50 , 7MBP25VDA120-50 , 7MBP300VEA060-50 , 7MBP35VDA120-50 , IRGB20B60PD1 , 7MBP50VDA120-50 , 7MBP75TEA060 , 7MBP75VDA060-50 , 7MBP75VDA120-50 , 7MBR100U2B060 , 7MBR100VB060-50 , 7MBR100VN120-50 , 7MBR100VP060-50 .

History: MWI50-12A7

 

 
Back to Top

 


 
.