IRG4IBC20FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4IBC20FD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14.3 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27 nC
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRG4IBC20FD
IRG4IBC20FD Datasheet (PDF)
irg4ibc20fd.pdf
PD -91750AIRG4IBC20FD Fast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very Low 1.66V votage dropVCES = 600V 2.5kV, 60s insulation voltage U 4.8 mm creapage distance to heatsinkVCE(on) typ. = 1.66V Fast: Optimized for medium operatingG frequencies ( 1-5 kHz in hard switchi
irg4ibc20w.pdf
PD 91785AIRG4IBC20WINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeaturesC Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications VCES = 600V 2.5kV, 60s insulation voltage V Industry-benchmark switching losses improveVCE(on) typ. = 2.16VG efficiency of all power supply topologies 50% reduction of Eoff parameter@VGE = 15V, IC = 6
irg4ibc20ud.pdf
PD -91752AIRG4IBC20UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures 2.5kV, 60s insulation voltage VCES = 600V 4.8 mm creapage distance to heatsink UltraFast: Optimized for high operatingVCE(on) typ. = 1.85V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200G kHz in resonant mode IGBT co-packaged with HEXF
irg4ibc20kd.pdf
PD -91689AIRG4IBC20KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High switching speed optimized for up to 25kHzVCES = 600V with low VCE(on) Short Circuit Rating 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.27V para
Другие IGBT... IRG4BC30UD , IRG4BC30W , IRG4BC30W-S , IRG4BC40F , IRG4BC40K , IRG4BC40S , IRG4BC40U , IRG4BC40W , FGH30S130P , IRG4IBC20KD , IRG4IBC20UD , IRG4IBC20W , IRG4IBC30FD , IRG4IBC30KD , IRG4IBC30UD , IRG4IBC30W , IRG4P254S .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2