BM63364S-VC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BM63364S-VC
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BM63364S-VC
BM63364S-VC Datasheet (PDF)
bm63364s-va bm63364s-vc.pdf
DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63364S-VA BM63364S-VC General Description Key Specifications BM63364S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low
bm63363s-va bm63363s-vc.pdf
DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63363S-VA BM63363S-VC General Description Key Specifications BM63363S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low
Другие IGBT... 7MBR75VB120-50 , 7MBR75VN120-50 , 7MBR75VP060-50 , 7MBR75VR120-50 , 7MBR75VX120-50 , BM63363S-VA , BM63363S-VC , BM63364S-VA , SGT40N60FD2PN , BM63763S-VA , BM63763S-VC , BM63764S-VA , BM63764S-VC , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2