Справочник IGBT. BSM150GAL120DN2

 

BSM150GAL120DN2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM150GAL120DN2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1250
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 210
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 100
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1600
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BSM150GAL120DN2

 

 

BSM150GAL120DN2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:142K  eupec
 bsm150gal120dn2.pdf

BSM150GAL120DN2 BSM150GAL120DN2

BSM 150 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GAL 120 DN2 1200V 210A HALF BRIDGE GAL 2 C67076-A2013-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE

 1.1. Size:288K  eupec
 bsm150gal120dlc.pdf

BSM150GAL120DN2 BSM150GAL120DN2

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM150GAL120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emit

 6.1. Size:141K  eupec
 bsm150gar120dn2.pdf

BSM150GAL120DN2 BSM150GAL120DN2

BSM 150 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GAR 120 DN2 1200V 210A HALF BRIDGE GAR 2 C67076-A2013-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE

Другие IGBT... BM63763S-VC , BM63764S-VA , BM63764S-VC , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , SGT15T60QD1F , BSM150GAR120DN2 , BSM150GB120DLC , BSM150GB120DN2 , BSM150GB170DLC , BSM150GB170DN2 , BSM150GB60DLC , BSM150GD60DLC , BSM15GD120DN2 .

 

 
Back to Top