BSM200GB120DN2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM200GB120DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM200GB120DN2
BSM200GB120DN2 Datasheet (PDF)
bsm200gb120dn2.pdf
BSM 200 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GB 120 DN2 1200V 290A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2300-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
bsm200gb120dlc.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm200gb120dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-Modulesvorlufige Datenpreliminary dataHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 420
bsm200gb170dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek
Другие IGBT... BSM200GA120DN2S , BSM200GA170DLC , BSM200GA170DN2 , BSM200GA170DN2S , BSM200GAL120DLC , BSM200GAL120DN2 , BSM200GAR120DN2 , BSM200GB120DLC , FGL60N100BNTD , BSM200GB170DLC , BSM200GB60DLC , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 , BSM25GB120DN2 , BSM25GD120DN2 , BSM25GD120DN2_E3224 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2