BSM25GD120DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM25GD120DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM25GD120DN2 Datasheet (PDF)
bsm25gd120dn2.pdf

BSM 25 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1
bsm25gd120dn2 e3224.pdf

BSM 25 GD 120 DN2 E3224IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage
bsm25gal120dn2.pdf

BSM 25 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GAL 120 DN2 1200V 38A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2009-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200
bsm25gb120dn2.pdf

BSM 25 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GB 120 DN2 1200V 38A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2109-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: NCE40TS120VTP | SKM50GB12V | APT50GP60SG | 2MBI450VJ-120-50 | IXA30RG1200DHGLB | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P
History: NCE40TS120VTP | SKM50GB12V | APT50GP60SG | 2MBI450VJ-120-50 | IXA30RG1200DHGLB | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078