BSM25GD120DN2_E3224 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BSM25GD120DN2_E3224  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BSM25GD120DN2_E3224

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM25GD120DN2_E3224 даташит

 0.1. Size:267K  eupec
 bsm25gd120dn2 e3224.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GD 120 DN2 E3224 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67 BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage

 1.1. Size:261K  eupec
 bsm25gd120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67 BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1

 8.1. Size:66K  siemens
 bsm25gal120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GAL 120 DN2 IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 25 GAL 120 DN2 1200V 38A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2009-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200

 8.2. Size:205K  eupec
 bsm25gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 25 GB 120 DN2 1200V 38A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2109-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage VGE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM200GB120DN2, BSM200GB170DLC, BSM200GB60DLC, BSM200GD60DLC, BSM20GD60DLC_E3224, BSM25GAL120DN2, BSM25GB120DN2, BSM25GD120DN2, SGT60U65FD1PT, BSM300GA120DLC, BSM300GA120DLCS, BSM300GA120DN2, BSM300GA120DN2S, BSM300GA170DLC, BSM300GA170DN2, BSM300GA170DN2E3166, BSM300GA170DN2S