BSM25GD120DN2_E3224 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM25GD120DN2_E3224
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM25GD120DN2_E3224
BSM25GD120DN2_E3224 Datasheet (PDF)
bsm25gd120dn2 e3224.pdf
BSM 25 GD 120 DN2 E3224IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage
bsm25gd120dn2.pdf
BSM 25 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1
bsm25gal120dn2.pdf
BSM 25 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GAL 120 DN2 1200V 38A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2009-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200
bsm25gb120dn2.pdf
BSM 25 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GB 120 DN2 1200V 38A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2109-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
Другие IGBT... BSM200GB120DN2 , BSM200GB170DLC , BSM200GB60DLC , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 , BSM25GB120DN2 , BSM25GD120DN2 , IKW40T120 , BSM300GA120DLC , BSM300GA120DLCS , BSM300GA120DN2 , BSM300GA120DN2S , BSM300GA170DLC , BSM300GA170DN2 , BSM300GA170DN2E3166 , BSM300GA170DN2S .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2