Справочник IGBT. BSM25GD120DN2_E3224

 

BSM25GD120DN2_E3224 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM25GD120DN2_E3224
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BSM25GD120DN2_E3224 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:267K  eupec
 bsm25gd120dn2 e3224.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GD 120 DN2 E3224IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage

 1.1. Size:261K  eupec
 bsm25gd120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1

 8.1. Size:66K  siemens
 bsm25gal120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GAL 120 DN2 1200V 38A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2009-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200

 8.2. Size:205K  eupec
 bsm25gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM25GD120DN2_E3224

BSM 25 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 25 GB 120 DN2 1200V 38A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2109-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM200GB120DN2 , BSM200GB170DLC , BSM200GB60DLC , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 , BSM25GB120DN2 , BSM25GD120DN2 , FGH30S130P , BSM300GA120DLC , BSM300GA120DLCS , BSM300GA120DN2 , BSM300GA120DN2S , BSM300GA170DLC , BSM300GA170DN2 , BSM300GA170DN2E3166 , BSM300GA170DN2S .

History: MMG200D120UK6TN | APT20GF120KR | SM2G150US60 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.