BSM75GAL120DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM75GAL120DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 105 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM75GAL120DN2 Datasheet (PDF)
bsm75gal120dn2.pdf

BSM 75 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GAL 120 DN2 1200V 105A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2011-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =
bsm75gp60.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GP60IGBT-ModulesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungVRRM 1600 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom GrenzeffektivwertIFRMSM 60 ARMS forward current per chip Dauergl
bsm75gb120dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GB120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj= 25 C VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 75 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 170 APeriodischer Kollektor Sp
bsm75gb120dn2.pdf

BSM 75 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GB 120 DN2 1200V 105A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2106-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
Другие IGBT... BSM35GP120G , BSM400GA120DLC , BSM400GA120DLCS , BSM400GA120DN2 , BSM400GA120DN2S , BSM400GA170DLC , BSM600GA120DLC , BSM600GA120DLCS , GT50JR22 , BSM75GB120DLC , BSM75GB120DN2 , BSM75GB170DN2 , BSM75GB60DLC , BSM75GD120DLC , BSM75GD120DN2 , BSM75GD60DLC , BSM75GP60 .
History: MMG25H120XB6TN | 2MBI200TA-060 | F12-25R12KT4G | CM300DY-12H | SRE100N065FSUD6 | BSM50GB100D | IQGB228N120GB4
History: MMG25H120XB6TN | 2MBI200TA-060 | F12-25R12KT4G | CM300DY-12H | SRE100N065FSUD6 | BSM50GB100D | IQGB228N120GB4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet