BSM75GAL120DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM75GAL120DN2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 105 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM75GAL120DN2
BSM75GAL120DN2 Datasheet (PDF)
bsm75gal120dn2.pdf

BSM 75 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GAL 120 DN2 1200V 105A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2011-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =
bsm75gp60.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GP60IGBT-ModulesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungVRRM 1600 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom GrenzeffektivwertIFRMSM 60 ARMS forward current per chip Dauergl
bsm75gb120dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GB120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj= 25 C VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 75 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 170 APeriodischer Kollektor Sp
bsm75gb120dn2.pdf

BSM 75 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GB 120 DN2 1200V 105A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2106-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet