BSM75GD120DN2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BSM75GD120DN2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 103 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BSM75GD120DN2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM75GD120DN2 даташит

 ..1. Size:285K  eupec
 bsm75gd120dn2.pdf pdf_icon

BSM75GD120DN2

BSM 75 GD 120 DN2 IGBT Power Module Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 75 GD 120 DN2 1200V 103A ECONOPACK 3 C67070-A2516-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k

 3.1. Size:104K  eupec
 bsm75gd120dlc.pdf pdf_icon

BSM75GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM75GD120DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 125 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom

 7.1. Size:211K  eupec
 bsm75gd60dlc.pdf pdf_icon

BSM75GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 75 GD 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage TC = 70 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 95 A Periodischer Kollektor Spitzenstro

 8.1. Size:153K  eupec
 bsm75gp60.pdf pdf_icon

BSM75GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM75GP60 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 60 A RMS forward current per chip Dauergl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM600GA120DLC, BSM600GA120DLCS, BSM75GAL120DN2, BSM75GB120DLC, BSM75GB120DN2, BSM75GB170DN2, BSM75GB60DLC, BSM75GD120DLC, GT50JR22, BSM75GD60DLC, BSM75GP60, CM1000DUC-34SA, CM1000DXL-24S, CM100DU-12F, CM100DU-24F, CM100DU-24NFH, CM100DY-24A