BSM75GP60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM75GP60
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM75GP60
BSM75GP60 Datasheet (PDF)
bsm75gp60.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GP60IGBT-ModulesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungVRRM 1600 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom GrenzeffektivwertIFRMSM 60 ARMS forward current per chip Dauergl
bsm75gb120dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM75GB120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj= 25 C VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 75 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 170 APeriodischer Kollektor Sp
bsm75gb120dn2.pdf

BSM 75 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GB 120 DN2 1200V 105A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2106-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
bsm75gd120dn2.pdf

BSM 75 GD 120 DN2IGBT Power Module Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 75 GD 120 DN2 1200V 103A ECONOPACK 3 C67070-A2516-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXXK300N60C3 | IXGT32N170A
History: IXXK300N60C3 | IXGT32N170A



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet