CM100RL-12NF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CM100RL-12NF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM100RL-12NF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1900 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CM100RL-12NF

CM100RL-12NF Datasheet (PDF)

..1. Size:541K 1
cm100rl-12nf.pdf

CM100RL-12NFPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Six IGBTMOD + Brakewww.pwrx.comNF-Series Module100 Amperes/600 VoltsE AF DM G H J JKN8 1 1 1 1C BCN UP VP WPP NAA ABKB U V WQUPLT Description:K KK KPowerex IGBTMOD Modules S R R Rare designed for use in switching applications. Each module K

6.1. Size:197K 1
cm100rl-24nf.pdf