CM100TX-24S1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM100TX-24S1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM100TX-24S1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM100TX-24S1 даташит

 ..1. Size:979K  1
 cm100tx-24s1.pdf pdf_icon

CM100TX-24S1

 3.1. Size:554K  1
 cm100tx-24s.pdf pdf_icon

CM100TX-24S1

 8.1. Size:192K  1
 cm100tl-24nf.pdf pdf_icon

CM100TX-24S1

 8.2. Size:193K  1
 cm100tl-12nf.pdf pdf_icon

CM100TX-24S1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM100RX-12A, CM100RX-24S, CM100RX-24S1, CM100TL-12NF, CM100TL-24NF, CM100TU-12F, CM100TU-24F, CM100TX-24S, IRG7R313U, CM10MD-24H, CM1200DB-34N, CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N, CM1200HA-34H, CM1200HA-50H, CM1200HA-66H, CM1200HB-50H