Справочник IGBT. CM1200DC-34N

 

CM1200DC-34N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200DC-34N
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9600 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6800 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM1200DC-34N

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM1200DC-34N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  1
 cm1200dc-34n.pdf pdf_icon

CM1200DC-34N

CM1200DC-34NPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comHVIGBT Module1200 Amperes/1700 VoltsADDUK (4 TYP)42QFBC EY3 1Description:E1 Z E2Powerex IGBTMOD Modules AA VG1 G2 M (3 TYP) are designed for use in switching Wapplications. Each module consists C1 C2of two IGBT Transistors in

 7.1. Size:62K  1
 cm1200db-34n.pdf pdf_icon

CM1200DC-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200DB-34NHIGH POWER SWITCHING USE4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200DB-34N IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-element in a Pack Cu Baseplate Trench Gate IGBT : CSTB

 8.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200DC-34N

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

 8.2. Size:44K  1
 cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

CM1200DC-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.