CM1200E4C-34N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM1200E4C-34N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9600 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM1200E4C-34N Datasheet (PDF)
cm1200e4c-34n.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200E4C-34NHIGH POWER SWITCHING USE4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200E4C-34N IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack (for brake) AISiC Baseplate Trench
cm1200dc-34n.pdf

CM1200DC-34NPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comHVIGBT Module1200 Amperes/1700 VoltsADDUK (4 TYP)42QFBC EY3 1Description:E1 Z E2Powerex IGBTMOD Modules AA VG1 G2 M (3 TYP) are designed for use in switching Wapplications. Each module consists C1 C2of two IGBT Transistors in
cm1200hcb-34n.pdf

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES
cm1200ha-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: 1MBI300N-120 | IXGA48N60C3 | MMG400D060B6TC | F3L150R07W2E3-B11 | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | BSM300GB120DLC
History: 1MBI300N-120 | IXGA48N60C3 | MMG400D060B6TC | F3L150R07W2E3-B11 | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | BSM300GB120DLC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061