CM1200E4C-34N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM1200E4C-34N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 6500
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 400
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 9600
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 6800
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM1200E4C-34N
CM1200E4C-34N Datasheet (PDF)
9.1. Size:126K jdsemi
cm120n06.pdf
cm120n06.pdf
RCM120N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ