Справочник IGBT. CM1200HA-34H

 

CM1200HA-34H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200HA-34H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6600 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM1200HA-34H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  1
 cm1200ha-34h.pdf pdf_icon

CM1200HA-34H

 5.1. Size:44K  1
 cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

CM1200HA-34H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 5.2. Size:150K  1
 cm1200ha-50h.pdf pdf_icon

CM1200HA-34H

 7.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200HA-34H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM100TU-12F , CM100TU-24F , CM100TX-24S , CM100TX-24S1 , CM10MD-24H , CM1200DB-34N , CM1200DC-34N , CM1200E4C-34N , IHW20N135R5 , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H , CM1200HB-50H , CM1200HB-66H , CM1200HC-34H , CM1200HC-50H , CM1200HC-66H , CM1200HCB-34N .

 

 
Back to Top

 


 
.