Справочник IGBT. CM1200HC-66H

 

CM1200HC-66H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200HC-66H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8600 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM1200HC-66H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  1
 cm1200hc-66h.pdf pdf_icon

CM1200HC-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-66H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

 5.1. Size:71K  1
 cm1200hc-50h.pdf pdf_icon

CM1200HC-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-50HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-50H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

 5.2. Size:179K  1
 cm1200hc-34h.pdf pdf_icon

CM1200HC-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-34H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

 6.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200HC-66H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM1200E4C-34N , CM1200HA-34H , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H , CM1200HB-50H , CM1200HB-66H , CM1200HC-34H , CM1200HC-50H , TGAN60N60F2DS , CM1200HCB-34N , CM1200HG-66H , CM1400DU-24NF , CM1400DUC-24S , CM150DU-12F , CM150DU-12H , CM150DU-24F , CM150DU-24NFH .

 

 
Back to Top

 


 
.