CM200DY-12H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM200DY-12H
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 550 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 600 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM200DY-12H
CM200DY-12H Datasheet (PDF)
cm200dy-12h.pdf
CM200DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABJ J Japplications. Each module consistsN Nof two IGBT Transistors
cm200dy-12nf.pdf
CM200DY-12NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module200 Amperes/600 VoltsTC MEASURED POINT(BASEPLATE)AF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K Kare designed for use in switchingM NUTS LD(3 PLACES)(2 PLACES) applications. Each module co
cm200dy-24h.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne
cm200dy-28h.pdf
CM200DY-28HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/1400 VoltsABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KPowerex IGBTMOD ModulesRQ - M6 THDN - DIA.are designed for use in switching(3 TYP.)(4 TYP.)applications. Each module consists.110 TABM of two IGBT Transistors in a
cm200dy-24a.pdf
CM200DY-24APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comA-Series Module200 Amperes/1200 VoltsAF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GK K KM NUTS Description:LD(3 PLACES)(2 PLACES)Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICKP P Papplications. Each module Q Q U W
Другие IGBT... CM1800HC-34N , CM1800HCB-34N , CM200DU-12F , CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , CM200DX-34SA , IRG7S313U , CM200DY-12NF , CM200DY-24A , CM200DY-24H , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S , CM200EXS-34SA .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2