CM200TU-12F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM200TU-12F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3600 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM200TU-12F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM200TU-12F даташит

 ..1. Size:105K  powerex
cm200tu-12f.pdfpdf_icon

CM200TU-12F

CM200TU-12F Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Six IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts J T (4 TYP.) K S - NUTS (5 TYP) K R CM N P P GUP EUP GVP EVP GWP EWP L N L N L B E Q M GUN EUN GVN EVN GWN EWN TC TC MEASURING MEASURING POINT U V W POINT Description J J Powerex IGBTMOD Modules LLL are designed

 8.1. Size:194K  1
cm200tl-12nf.pdfpdf_icon

CM200TU-12F

 8.2. Size:193K  1
cm200tl-24nf.pdfpdf_icon

CM200TU-12F

 9.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdfpdf_icon

CM200TU-12F

MITSUBISHI IGBT MODULES CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD N - DIA. signed for use in switching applica- (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two TAB#110 t=0.5 IGBTs in a half-bridge configuration M L with each transistor having a re- M verse-conne

Другие IGBT... CM200EXS-34SA, CM200HG-130H, CM200RL-12NF, CM200RL-24NF, CM200RX-12A, CM200RXL-24S, CM200TL-12NF, CM200TL-24NF, RJP63K2DPP-M0, CM20MD-12H, CM225DX-24S1, CM2400HC-34H, CM2400HC-34N, CM2400HCB-34N, CM2500DY-24S, CM25MD-24H, CM300DU-12F