CM400DY-50H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM400DY-50H
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4400 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1800 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM400DY-50H
CM400DY-50H Datasheet (PDF)
cm400dy-50h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM400DY-50HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM400DY-50H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
cm400dy-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM400DY-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
cm400dy-24a.pdf

CM400DY-24APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272Dual IGBTMODA-Series Module400 Amperes/1200 VoltsAF FWG2GE2B HJE NE1GG1C2E1 E2 C1LK K K(4 PLACES) Description:M NUTS D(3 PLACES) Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICK applications. Each module consists P P PQ Q U WIDTH
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor