CM50YE13-12H datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM50YE13-12H 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM50YE13-12H
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM50YE13-12H даташит
cm50ye13-12h.pdf
CM50YE13-12H Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 TLI-Series www.pwrx.com (Three Level Inverter) IGBT 50 Amperes/600 Volts A X H J B K L E N W K AD, AF AE, AF L F AD, AF AK D B K L F P K K K M K G V L L L U V W T AC N P P R T Y (4 PLACES) Q S U Description AA The TLI-Series has been designed C S for th
Другие IGBT... CM50DY-12H, CM50DY-24H, CM50MXA-24S, CM50RL-24NF, CM50TF-12H, CM50TF-24H, CM50TL-24NF, CM50TU-24F, SGT40N60FD2PT, CM600DU-24F, CM600DU-24NFH, CM600DU-5F, CM600DX-24S1, CM600DXL-24S, CM600DXL-34SA, CM600DY-12NF, CM600DY-24A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement

