CM600DY-34H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM600DY-34H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6900 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 1500 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM600DY-34H Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Другие IGBT... CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , CM600DX-24S1 , CM600DXL-24S , CM600DXL-34SA , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , STGW60V60DF , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H , CM600HG-130H , CM600HG-90H , CM600HN-5F , CM600HU-12F , CM75DU-12F .
History: 2MBI600NT-060 | APT20GF120KR | SKM75GAR063D | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX
History: 2MBI600NT-060 | APT20GF120KR | SKM75GAR063D | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872