CM600DY-34H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM600DY-34H
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6900 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1500 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3300 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM600DY-34H
CM600DY-34H Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Другие IGBT... CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , CM600DX-24S1 , CM600DXL-24S , CM600DXL-34SA , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , IHW40T60 , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H , CM600HG-130H , CM600HG-90H , CM600HN-5F , CM600HU-12F , CM75DU-12F .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872