CM600DY-34H - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CM600DY-34H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM600DY-34H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6900 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3300 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CM600DY-34H

CM600DY-34H Datasheet (PDF)

..1. Size:166K 1
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

6.1. Size:184K 1
cm600dy-12nf.pdf