Справочник IGBT. IRG4PC50FD

 

IRG4PC50FD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4PC50FD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для IRG4PC50FD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC50FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  international rectifier
 irg4pc50fd.pdf pdf_icon

IRG4PC50FD

PD 91469BIRG4PC50FD Fast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Fast: Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).VCE(on) typ. = 1.45V Generation 4 IGBT design provides tighterG parameter distribution and high

 5.1. Size:152K  international rectifier
 irg4pc50f.pdf pdf_icon

IRG4PC50FD

D I I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V,

 5.2. Size:323K  international rectifier
 irg4pc50f-e.pdf pdf_icon

IRG4PC50FD

PD - 96168IRG4PC50F-EPbFFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V, IC = 39AE Industry standar

 5.3. Size:310K  international rectifier
 irg4pc50fpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50FD

PD - 95398IRG4PC50FPbFFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V, IC = 39AE Industry standard

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4PC40FD , IRG4PC40K , IRG4PC40KD , IRG4PC40S , IRG4PC40U , IRG4PC40UD , IRG4PC40W , IRG4PC50F , FGA25N120ANTD , IRG4PC50K , IRG4PC50KD , IRG4PC50S , IRG4PC50U , IRG4PC50UD , IRG4PC50W , IRG4PF50W , IRG4PF50WD .

 

 
Back to Top

 


 
.