CM600HU-12F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM600HU-12F
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1420 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3720 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM600HU-12F
CM600HU-12F Datasheet (PDF)
cm600hu-12f.pdf
CM600HU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSingle IGBTMOD600 Amperes/600 VoltsM (2 TYP.)N (2 TYP)ADGCEFPGECMCLEBDescription:H J K RPowerex IGBTMOD ModulesTC MEASURINGare designed for use in switchingL (4 TYP)POINTapplications. Each module consistsof one IGBT Trans
cm600hn-5f.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULESCM600HN-5FHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM600HN-5F IC...................................................................600A VCES ..........................................................250V Insulated Type 1-element in a pack UL RecognizedYellow Card No. E80276File No. E80271APPLICATIONUPS, ForkliftOUTLINE DRAWING & CIR
cm600hg-130h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600HG-130HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600HG-130H IC ..................................................................600 A VCES ...................................................... 6500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate
cm600hb-90h.pdf
CM600HB-90HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Single IGBTMODHVIGBT600 Amperes/4500 VoltsADV NUTSLL(4 TYP)NSYC CP GFE BE ECMQDescription:CE GPowerex IGBTMOD ModulesRare designed for use in switchingapplications. Each module consistsU NUTSof one IGBT Transistor with a (3 TYP) HTW re
cm600hg-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600HG-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600HG-90H IC ..................................................................600 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAP
cm600ha-5f.pdf
CM600HA-5FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSingle IGBTMOD600 Amperes/250 VoltsH G F E DJW - DIA. (4 TYP.)KyQPEM LNE CxGCDescription:BPowerex IGBTMOD ModulesA Rare designed for use in switchingapplications. Each module consistsU - THD.V -THD. of one IGBT Transistor in a s
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2