CM600HU-12F - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CM600HU-12F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1420 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM600HU-12F
Технические параметры CM600HU-12F
cm600hu-12f.pdf
CM600HU-12F Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Single IGBTMOD 600 Amperes/600 Volts M (2 TYP.) N (2 TYP) A D G C E F P G E CM C L E B Description H J K R Powerex IGBTMOD Modules TC MEASURING are designed for use in switching L (4 TYP) POINT applications. Each module consists of one IGBT Trans
cm600hn-5f.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULES CM600HN-5F HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM600HN-5F IC...................................................................600A VCES ..........................................................250V Insulated Type 1-element in a pack UL Recognized Yellow Card No. E80276 File No. E80271 APPLICATION UPS, Forklift OUTLINE DRAWING & CIR
cm600hg-130h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM600HG-130H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM600HG-130H IC ..................................................................600 A VCES ...................................................... 6500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate
cm600hb-90h.pdf
CM600HB-90H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Single IGBTMOD HVIGBT 600 Amperes/4500 Volts A D V NUTS LL (4 TYP) N S Y C C P G F E B E E CM Q Description C E G Powerex IGBTMOD Modules R are designed for use in switching applications. Each module consists U NUTS of one IGBT Transistor with a (3 TYP) H T W re
Другие IGBT... CM600DY-24S , CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H , CM600HG-130H , CM600HG-90H , CM600HN-5F , SGT40N60FD2PT , CM75DU-12F , CM75DU-24F , CM75MXA-24S , CM75MXA-34SA , CM75RL-12NF , CM75RL-24NF , CM75RX-24S , CM75RX-34SA .
History: DIM200PLM33-F
History: DIM200PLM33-F
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525







