CM800DZB-34N аналоги, datasheet, параметры транзистора

CM800DZB-34N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM800DZB-34N 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7200 pF

Тип корпуса: MODULE

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для CM800DZB-34N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

CM800DZB-34N даташит

..1. Size:204K 1
cm800dzb-34n.pdf pdf_icon

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800DZB-34N HIGH POWER SWITCHING USE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800DZB-34N IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-element in a Pack AISiC Baseplate T

7.1. Size:762K 1
cm800dz-34h.pdf pdf_icon

CM800DZ-34H HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM800DZ-34H I 800 A C V 1700 V CES

8.1. Size:577K 1
cm800dy-24s.pdf pdf_icon

9.1. Size:51K 1
cm800e2c-66h.pdf pdf_icon

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800E2C-66H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800E2C-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-elements in a pack (for brake) AISiC base plate APPLICA