CM900HG-90H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM900HG-90H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.45 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 1200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM900HG-90H Datasheet (PDF)
cm900hg-90h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HG-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAP
cm900hb-90h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HB-90HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm900hc-90h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HC-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICA
Другие IGBT... CM800HA-50H , CM800HA-66H , CM800HB-50H , CM800HB-66H , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , FGH40N60SFD , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 .
History: RCP10N40A | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | CM50YE13-12H | MMG200D120B6UC | MIXA50PM650TMI | DM2G150SH6NE
History: RCP10N40A | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | CM50YE13-12H | MMG200D120B6UC | MIXA50PM650TMI | DM2G150SH6NE



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c