DF200R12W1H3_B27 - аналоги и описание IGBT

 

DF200R12W1H3_B27 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: DF200R12W1H3_B27
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF200R12W1H3_B27

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры DF200R12W1H3_B27

 0.1. Size:945K  infineon
 df200r12w1h3 b27.pdf pdf_icon

DF200R12W1H3_B27

/ Technical Information IGBT- DF200R12W1H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al

 6.1. Size:1029K  infineon
 df200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

DF200R12W1H3_B27

/ Technical Information IGBT- DF200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 / IGBT4 and diode and NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C

 6.2. Size:833K  infineon
 df200r12pt4-b6.pdf pdf_icon

DF200R12W1H3_B27

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli

 6.3. Size:166K  infineon
 df200r12ke3.pdf pdf_icon

DF200R12W1H3_B27

Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , CRG40T60AN3H , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D , DF650R17IE4 , DF650R17IE4D_B2 , DF75R12W1H4F_B11 , DF80R12W2H3_B11 .

 

 
Back to Top

 


 
.