DF200R12W1H3_B27 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DF200R12W1H3_B27
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27 Datasheet (PDF)
df200r12w1h3 b27.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF200R12W1H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 30A / I = 60AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al
df200r12pt4 b6.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and diode andNTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC
df200r12pt4-b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli
df200r12ke3.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst
df200r12ke3.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2