Справочник IGBT. DIM1500ESM33-TS

 

DIM1500ESM33-TS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DIM1500ESM33-TS
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 15600
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 3300
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 1500
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 400
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25000
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DIM1500ESM33-TS

 

 

DIM1500ESM33-TS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:499K  dynex
 dim1500esm33-ts.pdf

DIM1500ESM33-TS DIM1500ESM33-TS

DIM1500ESM33-TS000 Single Switch IGBT Module Replaces DS6072-3 DS6072-4 April 2013 (LN30425) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1500A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals

 0.2. Size:500K  dynex
 dim1500esm33-tl.pdf

DIM1500ESM33-TS DIM1500ESM33-TS

DIM1500ESM33-TL000 Single Switch IGBT Module DS6112-1 June 2013 (LN30640) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat)* (typ) 2.0V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 1500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 3000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlSiC Base With

 7.1. Size:487K  dynex
 dim1500asm33-tl001.pdf

DIM1500ESM33-TS DIM1500ESM33-TS

DIM1500ASM33-TL001 Single Switch IGBT Module DS6103-1 June 2013 (LN30625) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10.2kV Isolation IC (max) 1500A 10s Short Circuit Withstand IC(PK) (max) 3000A High Thermal Cycling Capability * Measured at the auxiliary terminals High Current Density Enhanced DMOS SPT I

 7.2. Size:486K  dynex
 dim1500asm33-ts001.pdf

DIM1500ESM33-TS DIM1500ESM33-TS

DIM1500ASM33-TS001 Single Switch IGBT Module DS6095-1 April 2013 (LN30405) FEATURES KEY PARAMETERS 10.2kV Isolation VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 1500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 3000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlSiC Base With A

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top