DIM1600FSM17-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM1600FSM17-A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13890 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18000 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DIM1600FSM17-A
DIM1600FSM17-A Datasheet (PDF)
dim1600fsm17-a.pdf

DIM1600FSM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5455-3.2 DS5455-4 October 2010 (LN27663) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
dim1600fsm12-a.pdf

DIM1600FSM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5533-3.1 DS5533-4 October 2010 (LN27611) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
dim1600fss12-a.pdf

DIM1600FSS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5541-2.4 DS5541-3 October 2010 (LN27660) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1600A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3200A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary
dim1600ecm17-a.pdf

Preliminary Information DIM1600ECM17-A000 IGBT Chopper Module DS6069-1 September 2011 (LN28672) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminal
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent