DIM250PHM33-TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DIM250PHM33-TS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DIM250PHM33-TS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM250PHM33-TS даташит

 ..1. Size:465K  dynex
 dim250phm33-ts.pdf pdf_icon

DIM250PHM33-TS

DIM250PHM33-TS000 Half Bridge IGBT Module DS6092-1 April 2013 (LN30402) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 250A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 500A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals APPLICATIONS

 1.1. Size:465K  dynex
 dim250phm33-tl.pdf pdf_icon

DIM250PHM33-TS

DIM250PHM33-TL000 Half Bridge IGBT Module DS6116-1 July 2013 (LN30665) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 250A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlSiC Base with AlN

 7.1. Size:487K  dynex
 dim250pkm33-ts.pdf pdf_icon

DIM250PHM33-TS

DIM250PKM33-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6106-1 DS6106-2 July 2013 (LN30763) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 250A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 500A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals

 7.2. Size:486K  dynex
 dim250plm33-tl.pdf pdf_icon

DIM250PHM33-TS

DIM250PLM33-TL000 IGBT Chopper Module DS6115-1 July 2013 (LN30664) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 250A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlSiC Base with AlN Subs

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DIM1800ESS12-A, DIM200PHM33-F, DIM200PKM33-F, DIM200PLM33-F, DIM2400ESM12-A, DIM2400ESM17-A, DIM2400ESS12-A, DIM250PHM33-TL, RJH30E2DPP, DIM250PKM33-TL, DIM250PKM33-TS, DIM250PLM33-TL, DIM250PLM33-TS, DIM400DCM17-A, DIM400DDM12-A, DIM400DDM17-A, DIM400DDS12-A