Справочник IGBT. DIM500GCM33-TS

 

DIM500GCM33-TS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DIM500GCM33-TS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DIM500GCM33-TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  dynex
dim500gcm33-ts.pdfpdf_icon

DIM500GCM33-TS

DIM500GCM33-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6098-1 DS6098-2 January 2014 (LN31263) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminal

 1.1. Size:532K  dynex
dim500gcm33-tl.pdfpdf_icon

DIM500GCM33-TS

DIM500GCM33-TL000 IGBT Chopper Module Replaces DS6114-1 DS6114-2 January 2014 (LN31264) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlS

 7.1. Size:522K  dynex
dim500gdm33-tl.pdfpdf_icon

DIM500GCM33-TS

DIM500GDM33-TL000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6113-1 DS6113-2 January 2014 (LN31251) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated

 7.2. Size:522K  dynex
dim500gdm33-ts.pdfpdf_icon

DIM500GCM33-TS

DIM500GDM33-TS000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6097-1 DS6097-2 January 2014 (LN31252) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary term

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | VS-20MT120UFAPBF | APTGF50X60BTP3 | BUK866-400IZ | MG100Q2YS65H | FGHL40S65UQ

 

 
Back to Top

 


 
.