MG06400D-BN4MM - Аналоги. Основные параметры
Наименование: MG06400D-BN4MM
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MG06400D-BN4MM
Технические параметры MG06400D-BN4MM
mg06400d-bn4mm.pdf
Power Module 600V IGBT Family RoHS MG06400D-BN4MM Series 400A Dual IGBT Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Motor drives SMPS and UP
mg06400d-bn1mm.pdf
Power Module 600V IGBT Family RoHS MG06400D-BN1MM Series 400A Dual IGBT Features Ultra low loss Positive temperature coefficient High ruggedness High short circuit capability Applications Motor drives SMPS and UPS Inverter Welder Agency Approvals Converter Induction Heating AGENCY AGENCY FILE NUMBER E71639 Module Characteristics (T
Другие IGBT... DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , FGH40N60UFD , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM .
History: IXGH10N100 | 6SI75N12 | CM100DU-24NFH
History: IXGH10N100 | 6SI75N12 | CM100DU-24NFH
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360



