MG06400D-BN4MM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG06400D-BN4MM
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4300 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MG06400D-BN4MM
MG06400D-BN4MM Datasheet (PDF)
mg06400d-bn4mm.pdf
Power Module600V IGBT FamilyRoHSMG06400D-BN4MM Series 400A Dual IGBT Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplications Motor drives SMPS and UP
mg06400d-bn1mm.pdf
Power Module600V IGBT FamilyRoHSMG06400D-BN1MM Series 400A Dual IGBT Features Ultra low loss Positive temperature coefficient High ruggedness High short circuit capabilityApplications Motor drives SMPS and UPS Inverter WelderAgency Approvals Converter Induction HeatingAGENCY AGENCY FILE NUMBERE71639Module Characteristics (T
Другие IGBT... DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , GT30J124 , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2