MG06600WB-BN4MM - аналоги и описание IGBT

 

MG06600WB-BN4MM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MG06600WB-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 700 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG06600WB-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MG06600WB-BN4MM

 0.1. Size:1657K  littelfuse
 mg06600wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06600WB-BN4MM

Power Module 600V 600A IGBT Module RoHS MG06600WB-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications High frequency switching Motion/servo control

Другие IGBT... MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MBQ60T65PES , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM .

 

 
Back to Top

 


 
.