MG06600WB-BN4MM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG06600WB-BN4MM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 700 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6500 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG06600WB-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06600WB-BN4MM даташит

 0.1. Size:1657K  littelfuse
 mg06600wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06600WB-BN4MM

Power Module 600V 600A IGBT Module RoHS MG06600WB-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications High frequency switching Motion/servo control

Другие IGBT... MBN400GR12A, MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, MG06200S-BN4MM, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MBQ60T65PES, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H, MG10Q6ES50A, MG12100D-BA1MM, MG12100S-BN2MM, MG12100W-XN2MM