Справочник IGBT. MG06600WB-BN4MM

 

MG06600WB-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG06600WB-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 700 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG06600WB-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06600WB-BN4MM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1657K  littelfuse
 mg06600wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06600WB-BN4MM

Power Module600V 600A IGBT ModuleRoHSMG06600WB-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplications High frequency switching Motion/servo control

Другие IGBT... MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , GT30J124 , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM .

History: APT75GN120B2G | NGTB40N135IHR | NGTB40N135IHRWG | MG150J2YS50 | MMG150HB060B6EN | APT40GP90B | 50MT060WHTAPBF

 

 
Back to Top

 


 
.