Справочник IGBT. MG100Q2YS40

 

MG100Q2YS40 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG100Q2YS40
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 670 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG100Q2YS40

 

 

MG100Q2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  toshiba
 mg100q2ys40.pdf

MG100Q2YS40 MG100Q2YS40

 4.1. Size:249K  toshiba
 mg100q2ys42.pdf

MG100Q2YS40 MG100Q2YS40

 5.1. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys51.pdf

MG100Q2YS40 MG100Q2YS40

 5.2. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys50.pdf

MG100Q2YS40 MG100Q2YS40

 5.3. Size:161K  toshiba
 mg100q2ys65h.pdf

MG100Q2YS40 MG100Q2YS40

MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight: 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteri

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top