MG100Q2YS40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG100Q2YS40  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 670 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG100Q2YS40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG100Q2YS40 даташит

 ..1. Size:114K  toshiba
 mg100q2ys40.pdf pdf_icon

MG100Q2YS40

 4.1. Size:249K  toshiba
 mg100q2ys42.pdf pdf_icon

MG100Q2YS40

 5.1. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys51.pdf pdf_icon

MG100Q2YS40

 5.2. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys50.pdf pdf_icon

MG100Q2YS40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, MG06200S-BN4MM, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MBQ60T65PES, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H, MG10Q6ES50A, MG12100D-BA1MM, MG12100S-BN2MM, MG12100W-XN2MM, MG12105S-BA1MM