Справочник IGBT. MG100Q2YS50

 

MG100Q2YS50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG100Q2YS50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG100Q2YS50

 

 

MG100Q2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys50.pdf

MG100Q2YS50 MG100Q2YS50

 4.1. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys51.pdf

MG100Q2YS50 MG100Q2YS50

 5.1. Size:114K  toshiba
 mg100q2ys40.pdf

MG100Q2YS50 MG100Q2YS50

 5.2. Size:249K  toshiba
 mg100q2ys42.pdf

MG100Q2YS50 MG100Q2YS50

 5.3. Size:161K  toshiba
 mg100q2ys65h.pdf

MG100Q2YS50 MG100Q2YS50

MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight: 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteri

Другие IGBT... MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , FGH40N60SFD , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM , MG12105S-BA1MM , MG12150D-BA1MM .

 

 
Back to Top