MG10Q6ES50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG10Q6ES50A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG10Q6ES50A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG10Q6ES50A даташит

 ..1. Size:270K  toshiba
 mg10q6es50a.pdf pdf_icon

MG10Q6ES50A

Другие IGBT... MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H, FGH40N60SFD, MG12100D-BA1MM, MG12100S-BN2MM, MG12100W-XN2MM, MG12105S-BA1MM, MG12150D-BA1MM, MG12150S-BN2MM, MG12150W-XN2MM, MG12200D-BA1MM