IRG4PH40UD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4PH40UD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.43 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247AC

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4PH40UD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PH40UD даташит

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irg4ph40ud.pdf pdf_icon

IRG4PH40UD

PD- 91621C IRG4PH40UD UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features UltraFast Optimized for high operating VCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode VCE(on) typ. = 2.43V New IGBT design provides tighter G parameter distribution and higher efficiency than previous generat

 0.1. Size:299K  international rectifier
 irg4ph40ud2-e.pdf pdf_icon

IRG4PH40UD

PD - 96781A IRG4PH40UD2-E UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features UltraFast IGBT optimized for high operating VCES = 1200V frequencies up to 200kHz in resonant mode IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast VCE(on) typ. = 2.43V ultra-soft-recovery anti-parallel diode for use in G resonant circuits Indus

 5.1. Size:166K  international rectifier
 irg4ph40u.pdf pdf_icon

IRG4PH40UD

D I I T I T D T I T I T Features C Features Features Features Features UltraFast Optimized for high operating VCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode New IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 2.43V G parameter distribution and higher efficiency than previous gene

 6.1. Size:219K  international rectifier
 irg4ph40kd.pdf pdf_icon

IRG4PH40UD

PD- 91577B IRG4PH40KD Short Circuit Rated INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features High short circuit rating optimized for motor control, VCES = 1200V tsc =10 s, VCC = 720V , TJ = 125 C, VGE = 15V VCE(on) typ. = 2.74V Combines low conduction losses with high G switching speed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4PF50WD, IRG4PH20K, IRG4PH20KD, IRG4PH30K, IRG4PH30KD, IRG4PH40K, IRG4PH40KD, IRG4PH40U, IRG7R313U, IRG4PH50K, IRG4PH50KD, IRG4PH50S, IRG4PH50U, IRG4PH50UD, IRG4PSC71K, IRG4PSC71KD, IRG4PSC71U