MG15Q6ES50A - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MG15Q6ES50A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MG15Q6ES50A
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MG15Q6ES50A даташит
mg15q6es50a.pdf
This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.
Другие IGBT... MG150J2YS50 , MG150J7KS60 , MG150Q2YS40 , MG150Q2YS50 , MG150Q2YS51 , MG150Q2YS65H , MG15J6ES40 , MG15Q6ES42 , FGPF4633 , MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement