MG15Q6ES50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG15Q6ES50A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG15Q6ES50A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG15Q6ES50A даташит

 ..1. Size:263K  toshiba
 mg15q6es50a.pdf pdf_icon

MG15Q6ES50A

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

 5.1. Size:102K  toshiba
 mg15q6es51.pdf pdf_icon

MG15Q6ES50A

 6.1. Size:258K  toshiba
 mg15q6es42.pdf pdf_icon

MG15Q6ES50A

Другие IGBT... MG150J2YS50, MG150J7KS60, MG150Q2YS40, MG150Q2YS50, MG150Q2YS51, MG150Q2YS65H, MG15J6ES40, MG15Q6ES42, FGPF4633, MG15Q6ES51, MG17100D-BN4MM, MG17100S-BN4MM, MG17150D-BN4MM, MG17200D-BN4MM, MG17225WB-BN4MM, MG17300D-BN4MM, MG17300WB-BN4MM