MG17150D-BN4MM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG17150D-BN4MM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG17150D-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG17150D-BN4MM даташит

 ..1. Size:1431K  littelfuse
 mg17150d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17150D-BN4MM

Power Module 1700V 150A IGBT Module RoHS MG17150D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1366K  littelfuse
 mg17100s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17150D-BN4MM

 9.2. Size:1385K  littelfuse
 mg17100d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17150D-BN4MM

Power Module 1700V 100A IGBT Module RoHS MG17100D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

Другие IGBT... MG150Q2YS51, MG150Q2YS65H, MG15J6ES40, MG15Q6ES42, MG15Q6ES50A, MG15Q6ES51, MG17100D-BN4MM, MG17100S-BN4MM, YGW40N65F1, MG17200D-BN4MM, MG17225WB-BN4MM, MG17300D-BN4MM, MG17300WB-BN4MM, MG17450WB-BN4MM, MG1750S-BN4MM, MG1775S-BN4MM, MG200J2YS50