Справочник IGBT. MG1775S-BN4MM

 

MG1775S-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG1775S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG1775S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1412K  littelfuse
 mg1775s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1775S-BN4MM

Power Module1700V 75A IGBT ModuleRoHSMG1775S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplicationsAgency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1 | AOB30B65LN2V

 

 
Back to Top

 


 
.