MG1775S-BN4MM - аналоги и описание IGBT

 

MG1775S-BN4MM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG1775S-BN4MM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG1775S-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG1775S-BN4MM даташит

 ..1. Size:1412K  littelfuse
 mg1775s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1775S-BN4MM

Power Module 1700V 75A IGBT Module RoHS MG1775S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications Agency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , IRG4PC50U , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H .

History: FGB5N60UNDF | MG200Q1US51

 

 

 

 

↑ Back to Top
.