Справочник IGBT. MG1775S-BN4MM

 

MG1775S-BN4MM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG1775S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 900 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG1775S-BN4MM

 

 

MG1775S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1412K  littelfuse
 mg1775s-bn4mm.pdf

MG1775S-BN4MM MG1775S-BN4MM

Power Module1700V 75A IGBT ModuleRoHSMG1775S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplicationsAgency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top