Справочник IGBT. MG25J6ES40

 

MG25J6ES40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG25J6ES40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG25J6ES40

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG25J6ES40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  toshiba
mg25j6es40.pdfpdf_icon

MG25J6ES40

Другие IGBT... MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H , GT30G122 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 .

 

 
Back to Top

 


 
.