Справочник IGBT. MG300J2YS50

 

MG300J2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG300J2YS50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG300J2YS50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG300J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 5.1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 9.1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , IRG4PC50U , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 .

History: MMG400D060B6TC | IRG7PH35UD1-EP

 

 
Back to Top

 


 
.