Справочник IGBT. MG300J2YS50

 

MG300J2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG300J2YS50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG300J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 5.1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 9.1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS50

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRGP4690D | IXGA48N60C3 | IXXH50N60C3 | MII300-12A4 | IXBX28N300HV | MMG400D060B6TC | BSM300GB120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.