Справочник IGBT. IRG4PH50UD

 

IRG4PH50UD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4PH50UD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.78 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для IRG4PH50UD

 

 

IRG4PH50UD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  international rectifier
 irg4ph50ud.pdf

IRG4PH50UD IRG4PH50UD

PD 91573AIRG4PH50UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 2.78V New IGBT design provides tighterG parameter distribution and hi

 0.1. Size:681K  infineon
 irg4ph50udpbf.pdf

IRG4PH50UD IRG4PH50UD

PD -95190IRG4PH50UDPbF UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 2.78V New IGBT design provides tighterG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

 5.1. Size:137K  international rectifier
 irg4ph50u.pdf

IRG4PH50UD IRG4PH50UD

PD - 91574BIRG4PH50UUltra Fast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode New IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.78VG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

 5.2. Size:137K  infineon
 irg4ph50u.pdf

IRG4PH50UD IRG4PH50UD

PD - 91574BIRG4PH50UUltra Fast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode New IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.78VG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

Другие IGBT... IRG4PH40K , IRG4PH40KD , IRG4PH40U , IRG4PH40UD , IRG4PH50K , IRG4PH50KD , IRG4PH50S , IRG4PH50U , TGAN60N60F2DS , IRG4PSC71K , IRG4PSC71KD , IRG4PSC71U , IRG4PSC71UD , IRG4PSH71K , IRG4PSH71KD , IRG4RC10K , IRG4RC10KD .

 

 
Back to Top