MG75J2YS91 - аналоги и описание IGBT

 

MG75J2YS91 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG75J2YS91

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG75J2YS91

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J2YS91 даташит

 ..1. Size:192K  toshiba
mg75j2ys91.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 6.1. Size:130K  toshiba
mg75j2ys50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 9.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 9.2. Size:512K  toshiba
mg75j6es50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed t = 0.30 s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15 s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage V = 2.70V

Другие IGBT... MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , TGAN40N60FD , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH .

History: AIKW50N65DF5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.