Справочник IGBT. MG75J2YS91

 

MG75J2YS91 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75J2YS91
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J2YS91 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  toshiba
mg75j2ys91.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 6.1. Size:130K  toshiba
mg75j2ys50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 9.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

 9.2. Size:512K  toshiba
mg75j6es50.pdfpdf_icon

MG75J2YS91

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit: mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed : t = 0.30s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage : V = 2.70V

Другие IGBT... MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , IRG7S313U , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH .

History: FD250R65KE3-K | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | CM50YE13-12H | MMG200D120B6UC | SPT15N120F1T8TL | DM2G150SH6NE

 

 
Back to Top

 


 
.